[发明专利]一种基于E‑T接头的小型化波导功率合成网络在审

专利信息
申请号: 201711122633.X 申请日: 2017-11-14
公开(公告)号: CN107946721A 公开(公告)日: 2018-04-20
发明(设计)人: 张国强;李磊;武华锋;华根瑞;杨莉;马云柱;张思明 申请(专利权)人: 西安电子工程研究所
主分类号: H01P5/20 分类号: H01P5/20;H01P5/22
代理公司: 西北工业大学专利中心61204 代理人: 刘新琼
地址: 710100 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种基于E‑T接头的小型化波导功率合成网络,主要应用于W波段收发组件及其它需要小型化功率合成的领域,网络的输入端为标准50Ω微带线,采用石英(SiO2)材料,薄膜工艺加工,输出端为标准的WR10接口,波导口尺寸采用1.27mm×2.54mm。整个合成网络采用背对背波导结构,在合成器的波导合成对称处,引入“锲”型切口,改善了驻波,使波导的阻抗更加匹配。该种功率合成网络,合成效率达到了93.6%。该种功率合成结构已经应用于项目中,完成工程验证,具有很好的可靠性和一致性。
搜索关键词: 一种 基于 接头 小型化 波导 功率 合成 网络
【主权项】:
一种基于E‑T接头的小型化波导功率合成网络,其特征在于包括两个背对背的E‑T接头,在第一个E‑T接头的输入端连接馈入探针(1),输入端拐弯处设有90°E面弯(2),第一个E‑T接头的功分口为弧形弯(7),第一个E‑T接头和第二个E‑T接头分别通过左合成探针(3)、右合成探针(5)连接,第二个E‑T接头的合成口为弧形弯(7),输出端拐弯处设有90°H面弯(8),在第一个E‑T接头和第二个E‑T接头的合成腔体(6)内中心对称处设有“锲”型切口(4)。
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