[发明专利]一种基于E‑T接头的小型化波导功率合成网络

权利要求书

1.一种基于E-T接头的小型化波导功率合成网络，其特征在于包括两个背对背的E-T接头，在第一个E-T接头的输入端连接馈入探针(1)，输入端拐弯处设有90°E面弯(2)，第一个E-T接头的功分口为弧形弯(7)，第一个E-T接头和第二个E-T接头分别通过左合成探针(3)、右合成探针(5)连接，第二个E-T接头的合成口为弧形弯(7)，输出端拐弯处设有90°H面弯(8)，在第一个E-T接头和第二个E-T接头的合成腔体(6)内中心对称处设有“锲”型切口(4)。

2.根据权利要求1所述的一种基于E-T接头的小型化波导功率合成网络，其特征在于所述的90°E面弯(2)和90°H面弯(8)的切口尺寸由以下几个公式约束：

L=λg/4=v/4f2-fc2]]>

两个中较大的一个

P=188.35λgλcλ∫s|Hz|2dS]]>

其中，L为切口折弯部分的轴线长度，λ_g为波导波长，λ_c为截止波长，a、b分别对应波导的宽边和窄边尺寸，f为工作频率，f_c为截止频率，ν是波速，P为波导的传输功率，λ为工作波长，H_z为纵向磁分量，S为闭合曲面积。

3.根据权利要求1所述的一种基于E-T接头的小型化波导功率合成网络，其特征在于所述的馈入探针(1)、左合成探针(3)、右合成探针(5)均采用石英SiO2材料，介电常数为3.8，厚度为0.127mm。

4.根据权利要求3所述的一种基于E-T接头的小型化波导功率合成网络，其特征在于所述的馈入探针(1)、左合成探针(3)、右合成探针(5)采用薄膜工艺进行加工精度保证。

5.根据权利要求1所述的一种基于E-T接头的小型化波导功率合成网络，其特征在于所述的“锲”型切口(4)的尺寸为0.263mm×1.6mm。

6.根据权利要求1所述的一种基于E-T接头的小型化波导功率合成网络，其特征在于所述的弧形弯(7)的半径为0.65mm。

7.根据权利要求1所述的一种基于E-T接头的小型化波导功率合成网络，其特征在于所述的90°E面弯(2)的切口为45°，长度为0.9mm。

8.根据权利要求1所述的一种基于E-T接头的小型化波导功率合成网络，其特征在于所述的90°H面弯(8)的切口为45°，长度为1.41mm。