[发明专利]一种铌酸钾改性的BT-KBT基储能陶瓷及其制备方法有效
申请号: | 201711115394.5 | 申请日: | 2017-11-13 |
公开(公告)号: | CN107935586B | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 蒲永平;万晶 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;C04B35/622 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 王霞 |
地址: | 710021 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: |
本发明涉及一种铌酸钾改性的BT‑KBT基储能陶瓷材料及其制备方法,属于电子陶瓷技术领域。该铌酸钾改性的BT‑KBT基高储能密度陶瓷材料的配方为(1‑x)(0.92BaTiO |
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搜索关键词: | 一种 铌酸钾 改性 bt kbt 基储能 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种铌酸钾改性的BT‑KBT基储能陶瓷,其特征在于,所述BT‑KBT基储能陶瓷的化学组成为:(1‑x)(0.92BaTiO3‑0.08(K1/2Bi1/2)TiO3)‑xKNbO3;其中,x取值范围为0.04~0.10。
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