[发明专利]一种利用矢量网络分析仪进行在片测试的方法

摘要

本发明公开了一种利用矢量网络分析仪进行在片测试的方法，其包括如下步骤：s1.首先在矢量网络分析仪测试电缆与夹具相连的端口进行全双端口SOLT或TRL校准；s2.矢量网络分析仪测试电缆与两个夹具相连，在夹具端进行频时域相结合的校准；s3.在夹具端连接被测件进行测量。本发明巧妙地在矢量网路分析仪端面引入两个夹具，将繁琐的芯片测试进行了转化，操作简单便捷。此外，本发明基于矢量网络分析仪进行芯片测试，通过完整的分析、建模，充分考虑了芯片测试中引入的误差，并通过算法予以去除，因此测试精度高。

主权项

1.一种利用矢量网络分析仪进行在片测试的方法，其特征在于，包括如下步骤：s1.矢量网络分析仪全双端口校准首先在矢量网络分析仪测试电缆与夹具相连的端口进行全双端口SOLT或TRL校准，移除了矢量网络分析仪在测试电缆内的系统误差；s2.矢量网络分析仪测试电缆与两个夹具相连，在夹具端进行频时域相结合的校准设定与矢量网络分析仪测试电缆相连的两个夹具分别为夹具一和夹具二；其中，夹具一的误差项为L₀₀、L₀₁、L₁₀、L₁₁；夹具二的误差项为N₀₀、N₀₁、N₁₀、N₁₁；在夹具一和夹具二的两端连接校准件以获得上述误差项；获取夹具一和夹具二误差项的步骤如下：1)夹具一和夹具二空接进行测量将夹具一和夹具二分开一段距离，分别测量S₁₁和S₂₂，在时域下观察曲线可以看到，整个曲线存在两个波峰，分别为夹具一的反射特性和夹具二的反射特性，两次测量都用时域门卡出第一个波峰，并转换到频域下分别得到测量数据即为L₀₀和N₀₀；2)两个夹具之间连接短路片，计算出短路片的反射系数T_s；利用短路片连接在夹具一和夹具二后分别进行反射测量后获取的测量数据T_M1、T_M2和单端口误差公式得到：3)夹具直接对接将夹具一和夹具二直接对接在一起，形成直通连接方式，分别进行四个S参数的测试，此时，直通长度为0，即传输系数为1；根据直通数据流图，正反向分别测反射和传输得到S_11M、S_21M、S_12M、S_22M，且：自此，两个夹具的八个误差项全部获取得到；s3.在夹具端连接被测件进行测量在两个夹具的端部连接被测件，设定被测件的真实特性为：S_11A、S_21A、S_12A、S_22A；通过被测数据S_11M、S_21M、S_12M、S_22M和获取的两个夹具的特性，得到被测件的真实特性，即：其中，ΔS＝S_12MS_21M‑S_11MS_22M，ΔL＝L₀₁L₁₀‑L₀₀L₁₁，ΔN＝N₀₁N₁₀‑N₀₀N₁₁。