[发明专利]一种检测静电吸盘表面颗粒污染物的方法有效
| 申请号： | 201711091677.0 | 申请日： | 2017-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN107863304B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 聂钰节;钱洋洋;昂开渠;江旻;唐在峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种检测静电吸盘表面颗粒污染物的方法，采用在现有颗粒检测工艺前，对所述静电吸盘施加一正负切换电压，同时，通过不断向刻蚀腔体通入惰性气体并向所述静电吸盘的表面气道通入氦气，冲刷所述静电吸盘的表面。采用本发明的技术方案可以静电吸盘表面的颗粒污染物脱落，通过控片上检测到的颗粒物数量和大小来判断刻蚀腔体的稳定性，及时避免刻蚀腔体颗粒物污染物造成后续晶圆刻蚀缺陷，改善晶圆的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 静电 吸盘 表面 颗粒 污染物 方法 | ||
【主权项】：
一种检测静电吸盘表面颗粒污染物的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：对所述静电吸盘施加一正负切换电压，同时，通过不断向刻蚀腔体通入惰性气体并向所述静电吸盘的表面气道通入氦气，冲刷所述静电吸盘的表面；步骤S2：在所述静电吸盘上吸附一控片，对所述控片进行刻蚀操作；步骤S3：检测所述控片上的颗粒物数量和大小，判定所述静电吸盘的表面状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
