[发明专利]一种大尺寸晶体的熔体法晶体生长方法

摘要

本发明公开了一种大尺寸晶体的熔体法晶体生长方法，其特征是坩埚采用矩形坩埚，坩埚材质可以是Ir、Pt、石墨、W、Mo、Re、Ta，或者钨钼合金，或者是Ir、Pt质量占90%以上成分合金，加热方式可采用感应或者电阻加热，保温装置可采用氧化锆、氧化铝混合，或者高熔点金属屏，或高熔点金属屏与氧化铝、氧化锆混合进行搭建；采用一个或二个相互垂直方向定向的籽晶定向生长；对于正温梯温场，可通过调节加热功率控制生长速率的实现自动控制生长；对于负温度梯度温场，将籽晶置于坩埚底部中心并使该处的温度略低于熔点，通过使坩埚内部熔体的温度自底部到顶部随时间缓慢平滑降低并经过熔点，实现晶体生长。

主权项

一种大尺寸晶体的熔体法晶体生长方法，其特征在于：作为熔体容器的坩埚采用矩形坩埚，即在垂直于坩埚的中心轴线横截面上，坩埚的内部轮廓为一矩形，将直角坐标系原点O固定在坩埚内表面的底部中心，Z轴和坩埚的中心轴线重合，X轴与尺寸较小的两边平行，Y轴与尺寸较大的两边平行，坩埚的内部口径可以为常数，也可以变化；当坩埚口径是变化的时，由坩埚顶部到底部口径逐步变小；坩埚的材质可以是Ir、Pt、石墨、W、Mo、Re、Ta，或者钨钼合金，或者以Ir、Pt质量比例占90％以上成分的Ir合金、Pt合金；在生长过程中坩埚顶部在上、底部在下竖直放置。