[发明专利]基于TSV的有机介质腔矩形波导滤波器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201711086641.3 申请日: 2017-11-07
公开(公告)号: CN107895830B 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: 王凤娟;黄嘉;余宁梅 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: H01P1/207 分类号: H01P1/207
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 王奇
地址: 710048*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种基于TSV的有机介质腔矩形波导滤波器,包括顶面金属层及底面金属层,顶面金属层及底面金属层沿纵向两侧分别连接有TSV侧壁金属层,构成一个纵向的立方体密封箱体,每侧的TSV侧壁金属层内表面沿纵向间隔安装有六个TSV虹膜,总共十二块TSV虹膜横向相对分成六组;在顶面金属层与两侧的半导体衬底、底面金属层与两侧的半导体衬底的交界处分别设置有SiO2材料的填充块。本发明还公开了该种基于TSV的有机介质腔矩形波导滤波器的制造方法。本发明的结构明显缩小了滤波器的面积,实现了滤波器的集成,同时也极大地提高了滤波器的频率,减小了电磁的损耗和泄露。
搜索关键词: 基于 tsv 有机 介质 矩形波导 滤波器 及其 制造 方法
【主权项】:
一种基于TSV的有机介质腔矩形波导滤波器,其特征在于:包括顶面金属层(5)及底面金属层(6),顶面金属层(5)及底面金属层(6)沿纵向两侧分别连接有TSV侧壁金属层(2),构成一个纵向的立方体密封箱体,每侧的TSV侧壁金属层(2)内表面沿纵向间隔安装有六个TSV虹膜(3),总共十二块TSV虹膜(3)横向相对分成六组;在顶面金属层(5)与两侧的半导体衬底(1)、底面金属层(6)与两侧的半导体衬底(1)的交界处分别设置有SiO2材料的填充块(7)。
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