[发明专利]基于TSV的有机介质腔矩形波导滤波器及其制造方法有效
| 申请号: | 201711086641.3 | 申请日: | 2017-11-07 |
| 公开(公告)号: | CN107895830B | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
| 发明(设计)人: | 王凤娟;黄嘉;余宁梅 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
| 主分类号: | H01P1/207 | 分类号: | H01P1/207 |
| 代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 王奇 |
| 地址: | 710048*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: |
本发明公开了一种基于TSV的有机介质腔矩形波导滤波器,包括顶面金属层及底面金属层,顶面金属层及底面金属层沿纵向两侧分别连接有TSV侧壁金属层,构成一个纵向的立方体密封箱体,每侧的TSV侧壁金属层内表面沿纵向间隔安装有六个TSV虹膜,总共十二块TSV虹膜横向相对分成六组;在顶面金属层与两侧的半导体衬底、底面金属层与两侧的半导体衬底的交界处分别设置有SiO |
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| 搜索关键词: | 基于 tsv 有机 介质 矩形波导 滤波器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种基于TSV的有机介质腔矩形波导滤波器,其特征在于:包括顶面金属层(5)及底面金属层(6),顶面金属层(5)及底面金属层(6)沿纵向两侧分别连接有TSV侧壁金属层(2),构成一个纵向的立方体密封箱体,每侧的TSV侧壁金属层(2)内表面沿纵向间隔安装有六个TSV虹膜(3),总共十二块TSV虹膜(3)横向相对分成六组;在顶面金属层(5)与两侧的半导体衬底(1)、底面金属层(6)与两侧的半导体衬底(1)的交界处分别设置有SiO2材料的填充块(7)。
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