[发明专利]基于TSV的有机介质腔矩形波导滤波器及其制造方法

权利要求书

1.一种基于TSV的有机介质腔矩形波导滤波器的制造方法，依赖于一种基于TSV的有机介质腔矩形波导滤波器，结构是，包括顶面金属层(5)及底面金属层(6)，顶面金属层(5)及底面金属层(6)沿纵向两侧分别连接有TSV侧壁金属层(2)，构成一个纵向的立方体密封箱体，每侧的TSV侧壁金属层(2)内表面沿纵向间隔安装有六个TSV虹膜(3)，总共十二块TSV虹膜(3)横向相对分成六组；在顶面金属层(5)与两侧的半导体衬底(1)、底面金属层(6)与两侧的半导体衬底(1)的交界处分别设置有SiO₂材料的填充块(7)；

所述的顶面金属层(5)和底面金属层(6)均采用RDL材料；

所述的TSV侧壁金属层(2)和TSV虹膜(3)均采用沟槽型TSV结构，两侧的TSV侧壁金属层(2)和十二块TSV虹膜(3)一起称为TSV组件；

所述的十二块TSV虹膜(3)与两个TSV侧壁金属层(2)的空间布局将谐振器内部分为五个腔体，所有腔体中均填充有机介质(4)，每个腔体的纵向间距不均等，同时六组TSV虹膜(3)的内端距离不均等，

利用上述的基于TSV的有机介质腔矩形波导滤波器，其特征在于，本方法按照以下步骤实施：

步骤1：半导体衬底(1)为高阻硅衬底，在半导体衬底(1)上通过反应离子方式刻蚀盲孔(8)；

步骤2：在盲孔(8)内表面通过物理气相淀积法制备TSV组件，TSV组件包括两侧的TSV侧壁金属层(2)和十二块TSV虹膜(3)；

步骤3：在盲孔(8)中未被TSV组件占的空间内填充满有机介质(4)，有机介质(4)选用SU-8或BCB绝缘体材料；

步骤4：在半导体衬底(1)的最上面覆盖一层顶面金属层(5)，顶面金属层(5)的尺寸长宽与盲孔(8)的一致，在半导体衬底(1)底部空余的地方采用SiO₂材料的填充块(7)；

步骤5：在半导体衬底(1)的底部减薄至所需厚度之后，进行化学机械抛光，直到半导体衬底(1)与盲孔(8)下表面平整后为止；

步骤6：在半导体衬底(1)的最下面覆盖一层底面金属层(6)，底面金属层(6)的尺寸长宽与盲孔(8)的一致，半导体衬底(1)底部空余的地方采用SiO₂材料的填充块(7)。