[发明专利]一种发光波长可调谐的GaN基垂直腔面发射光源在审
| 申请号： | 201711072492.5 | 申请日： | 2017-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN107863688A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 张保平;梅洋;许荣彬;翁国恩;应磊莹;郑志威 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01S5/187 | 分类号： | H01S5/187;H01S5/34;H01S5/065 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙)35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种发光波长可调谐的GaN基垂直腔面发射光源，涉及发射光源。设有外延层，所述外延层从下至上依次为衬底、下介质膜分布布拉格反射镜、ITO电流扩展层、p型Cr/Au电极、SiO2电流限制层、p型GaN、量子点有源层、n型GaN、n型Cr/Au电极和上介质膜分布布拉格反射镜。使用具有不同尺寸量子点作为有源区，得到了可调谐的增益特性，结合谐振腔效应，得到了发光波长在强耦合模式之间可调谐的输出特性。发光波长调谐范围从黄绿光到紫光，实现了大范围调谐。相比于以往制作可调谐发光器件的方法，不需要复杂的材料生长以及期间制作工艺，大大简化了工艺过程以及器件制作难度，并且提高了发光波长的调谐范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光 波长 调谐 gan 垂直 发射 光源 | ||
【主权项】：
一种发光波长可调谐的GaN基垂直腔面发射光源，其特征在于设有外延层，所述外延层从下至上依次为：衬底、下介质膜分布布拉格反射镜、ITO电流扩展层、p型Cr/Au电极、SiO2电流限制层、p型GaN、量子点有源层、n型GaN、n型Cr/Au电极和上介质膜分布布拉格反射镜。
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