[发明专利]一种陶瓷后盖的退火方法有效
申请号: | 201711053868.8 | 申请日: | 2017-10-31 |
公开(公告)号: | CN107698278B | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 黎锦林 | 申请(专利权)人: | 湖北天宝光电科技有限公司 |
主分类号: | C04B41/80 | 分类号: | C04B41/80;C04B41/85;H04M1/02 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 邓佳 |
地址: | 437400 湖北省*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种陶瓷后盖的退火方法,属于陶瓷后盖加工领域,包括如下步骤:将陶瓷后盖放入退火炉中,升温至600~800℃的中温区域,并保温1~2小时;经过中温区域保温后,升温至1000~1200℃的高温区域,并在高温区域保温3~4小时;完成高温保温后,降温至800~900℃,时间控制在1~2小时;自然冷却至室温,出炉完成退火。本发明的有益效果是:采用梯度升温和降温的工艺,通过两次升温和两次降温,陶瓷后盖在两个温度区域内保持一定的时间,使陶瓷后盖内部晶粒分阶段生长,晶粒之间的相互作用力充分释放,晶粒分布更加均匀,晶粒之间的排布结构更加合理,从而有效降低陶瓷后盖精雕过程中产生的应力,保证退火处理后的陶瓷后盖变形量在0.08mm以内,满足了手机的装配要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 陶瓷 退火 方法 | ||
【主权项】:
一种陶瓷后盖的退火方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一:将陶瓷后盖放入退火炉中,退火炉升温至温度在600~800℃的中温区域,并在中温区域保温1~2小时;步骤二:经过中温区域保温后,升温至温度在1000~1200℃的高温区域,并在高温区域保温3~4小时;步骤三:完成高温保温后,降温至800~900℃,降温时间控制在1~2小时;步骤四:自然冷却至室温,出炉完成退火。
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