[发明专利]一种陶瓷后盖的退火方法

说明书

本发明公开了一种陶瓷后盖的退火方法，属于陶瓷后盖加工领域，包括如下步骤：将陶瓷后盖放入退火炉中，升温至600～800℃的中温区域，并保温1～2小时；经过中温区域保温后，升温至1000～1200℃的高温区域，并在高温区域保温3～4小时；完成高温保温后，降温至800～900℃，时间控制在1～2小时；自然冷却至室温，出炉完成退火。本发明的有益效果是：采用梯度升温和降温的工艺，通过两次升温和两次降温，陶瓷后盖在两个温度区域内保持一定的时间，使陶瓷后盖内部晶粒分阶段生长，晶粒之间的相互作用力充分释放，晶粒分布更加均匀，晶粒之间的排布结构更加合理，从而有效降低陶瓷后盖精雕过程中产生的应力，保证退火处理后的陶瓷后盖变形量在0.08mm以内，满足了手机的装配要求。

技术领域

本发明涉及陶瓷后盖加工领域，尤其涉及一种陶瓷后盖的退火方法。

背景技术

随着通讯5G时代，智能手机将完全摒弃现有的金属后盖边框，而采用不会对信号产生屏蔽陶瓷材料。陶瓷手机中框作为未来手机设备中不可缺少的零部件，加工效率和品质亟待提高。

陶瓷材料经过CNC加工后，会产生一定加工应力，这种应力会在陶瓷表面集聚，影响陶瓷片的翘曲程度，严重的翘曲会在后道加工过程产生破片，影响整个加工循环的产品质量；内应力集中，也会导致中心部位变形，使陶瓷壳体与手机其他部件组装困难，成品良率低，现阶段尚未出现比较有效解决陶瓷壳体翘曲变形的研究。

如公告号为CN205692182U的实用新型专利公开了一种氧化锆陶瓷指纹识别盖板，包括指纹识别盖板本体，所述指纹识别盖板的材质为氧化锆陶瓷；所述指纹识别盖板的表面具有精研表面层；所述指纹识别盖板的翘曲度为2‰～8‰，厚度为0.1～1mm，抗弯强度为800～1200Mpa，介电常数为9.4～11.58。本专利未介绍其盖板具体的加工工艺。

再如公开号为CN106625035A的发明专利申请公开了一种手机后盖用3D氧化锆陶瓷的加工方法，其采用的氧化锆陶瓷，文中也没有通过退火工艺来达到减少翘曲度的相关文字记载。

发明内容

为克服现有技术中产品翘曲严重、内应力集中，陶瓷壳体与手机其他部件组装困难，成品良率低等问题，本发明提供了一种陶瓷后盖的退火方法，包括如下步骤：

步骤一：将陶瓷后盖放入退火炉中，退火炉升温至温度在600～800℃的中温区域，并在中温区域保温1～2小时；

步骤二：经过中温区域保温后，升温至温度在1000～1200℃的高温区域，并在高温区域保温3～4小时；

步骤三：完成高温保温后，降温至800～900℃，降温时间控制在1～2小时；

步骤四：自然冷却至室温，出炉完成退火。

采用梯度升温和降温的工艺，通过两次升温和两次降温，陶瓷后盖在两个温度区域内保持一定的时间，使陶瓷后盖内部晶粒分阶段生长，晶粒之间的相互作用力充分释放，晶粒分布更加均匀，晶粒之间的排布结构更加合理，从而有效降低陶瓷后盖精雕过程中产生的应力，保证退火处理后的陶瓷后盖变形量在0.08mm以内，以满足手机装配要求。

进一步，所述步骤一中升温至中温区域的时间为3～4小时。

进一步，所述步骤二中升温至高温区域的时间为1～2小时。

合理控制陶瓷后盖的两次升温时间，并配合两次保温阶段，使陶瓷壳体内部氧化物杂质如碱土金属氧化物、二氧化硅等在较高温度逐渐挥发，高效降低陶瓷壳体内氧化物杂质的含量，使得陶瓷后盖内部晶粒的分布更加合理均匀，具有更优质的力学性能。

进一步，所述步骤一中退火炉在升温之前，所述陶瓷后盖内腔上侧面压有一块陶瓷配重块，所述陶瓷配重块的压强为5～10N/cm。