[发明专利]一种柔性红外超材料的制备方法在审
申请号: | 201711049691.4 | 申请日: | 2017-10-31 |
公开(公告)号: | CN107608011A | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | 周佩珩;牛健宗;刘彦宁;陈海燕;陆海鹏;邓龙江 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G02B1/00 | 分类号: | G02B1/00;G03F7/00;B81C1/00 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心51203 | 代理人: | 闫树平 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明属于红外人工电磁超材料领域,具体涉及一种柔性红外超材料的制备方法。本发明首先在硅片上旋涂一层光刻胶作为牺牲层,然后在其上光刻加工获得所需的周期结构图形,再通过镀膜获得所需周期结构,最后用PDMS将周期结构从硅基底表面逆向剥离转移下来,即制得以柔性PDMS材料为基底的三明治结构柔性红外超材料。本发明比传统的工艺,工艺实现流程更为简单,工艺周期更短,普适性高。 | ||
搜索关键词: | 一种 柔性 红外 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种柔性红外超材料的制备方法,包括以下步骤:步骤1、清洗硅基片;步骤2、在清洗后的硅基片上通过甩胶工艺制备一层光刻胶牺牲层,牺牲层厚度在0.8~1.5um;步骤3、在牺牲层上用反转光刻胶制作所需的周期结构图形;步骤4、在步骤3制得的硅基片图形化一面,沉积获得所需的周期结构薄膜;步骤5、通过液态聚二甲基硅氧烷PDMS将步骤4制备的周期结构薄膜从硅基底上转移下来,即得到所需周期结构薄膜的柔性红外超材料。
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