[发明专利]采用用于边缘终端元件的凹处的边缘终端结构有效
| 申请号： | 201711040565.2 | 申请日： | 2012-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN108039360B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | J.P.亨宁;Q.张;S-H.刘;A.K.阿加瓦尔;J.W.帕尔莫尔;S.艾伦 | 申请（专利权）人： | 科锐 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 陈岚 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及采用用于边缘终端元件的凹处的边缘终端结构。一种边缘终端结构的元件（诸如多个同心保护环）是漂移层中的有效掺杂区域。为了增大这些掺杂区域的深度，单独凹处可以被形成其中将形成所述边缘终端结构的元件的漂移层的表面中。一旦所述凹处被形成在所述漂移层中，在所述凹处附近和底部处的这些区域被掺杂以形成相应的边缘终端元件。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 用于 边缘 终端 元件 凹处 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体设备，包括：漂移层，其具有带活性区域和多个结势垒元件凹处的第一表面，所述漂移层掺杂有第一导电率类型的掺杂材料并且与基本上与所述活性区域横向相邻的边缘终端区域相关联，其中所述边缘终端区域包括多个保护环；在所述第一表面的活性区域之上的用以形成肖特基结的肖特基层；多个第一掺杂区域，其延伸到在所述多个结势垒元件凹处中对应数个结势垒元件凹处的附近的漂移层中，其中所述多个第一掺杂区域掺杂有第二电导率类型的掺杂材料，所述第二电导率类型与所述第一电导率类型相反，并且在所述肖特基结下方的漂移层中形成结势垒元件阵列；和在所述边缘终端区域的所述漂移层中形成的阱，所述阱具有保护环，并掺杂有所述第二导电率类型的掺杂材料，所述多个保护环在所述阱中形成，其中所述保护环与所述结势垒元件凹处共面。
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