[发明专利]基于以萘[1;2-c:5;6-c]二[1;2;5]噻二唑为核的聚合物的光探测器有效

专利信息
申请号: 201711032648.7 申请日: 2017-10-30
公开(公告)号: CN107946463B 公开(公告)日: 2019-10-18
发明(设计)人: 应磊;钟文楷;黄飞;曹镛 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 何淑珍
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了基于以萘[1,2‑c:5,6‑c]二[1,2,5]噻二唑为核的聚合物的光探测器。器件包括光活性层、电子传输层、空穴传输层、阴极和阳极,其中,光活性层的材料为以萘[1,2‑c:5,6‑c]二[1,2,5]噻二唑为核的共轭聚合物与电子受体材料的混合物。本发明的基于以萘[1,2‑c:5,6‑c]二[1,2,5]噻二唑为核的共轭聚合物的高效光探测器中,采用具有宽吸收光谱且易于膜加工的以萘[1,2‑c:5,6‑c]二[1,2,5]噻二唑为核的共轭聚合物构建光活性层,有效降低了光探测器的暗电流,器件在紫外光区、可见光区以及近红外区均有效应,且具有高的光响应效率和比探测率。
搜索关键词: 基于 噻二唑 聚合物 探测器
【主权项】:
1.基于以萘[1,2‑c:5,6‑c]二[1,2,5]噻二唑为核的共轭聚合物的高效光探测器,其特征在于,器件包括光活性层、电子传输层、空穴传输层、阴极和阳极,结构包括正装结构或倒装结构;所述正装结构由上至下,依次包括阴极、电子传输层、光活性层、空穴传输层以及阳极;所述倒装结构由上至下,依次包括阳极、空穴传输层、光活性层、电子传输层以及阴极;所述光活性层的材料为以萘[1,2‑c:5,6‑c]二[1,2,5]噻二唑为核的共轭聚合物与电子受体材料的混合物。
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