[发明专利]基于有机-无机多异质结纳米阵列的广谱光电探测器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201711029327.1 申请日: 2017-10-27
公开(公告)号: CN107658384B 公开(公告)日: 2020-03-27
发明(设计)人: 张香丽 申请(专利权)人: 张香丽
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 322207 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明属于光电探测器领域,具体涉及基于有机‑无机多异质结纳米阵列的广谱光电探测器及其制备方法,包括ITO透明导电玻璃,位于ITO透明导电玻璃上的β‑Ga2O3/GaN异质结纳米片阵列,镶嵌于β‑Ga2O3/GaN异质结纳米片阵列之间和位于β‑Ga2O3/GaN异质结纳米片阵列上的(NH4)x(CH3CH2NH3)1‑xPbI3单晶,分别位于(NH4)x(CH3CH2NH3)1‑xPbI3单晶和ITO透明导电玻璃上的Au薄膜电极;所述(NH4)x(CH3CH2NH3)1‑xPbI3单晶的x=0.2~0.8。本发明光电探测器对深紫外区至近红外区光谱均有响应,具有高响应度的广谱探测能力和零功耗特性。且本发明的探测器性能稳定,反应灵敏,暗电流小,可自供电,在广谱光探测领域具有很大的应用前景。
搜索关键词: 基于 有机 无机 多异质结 纳米 阵列 广谱 光电 探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
基于有机‑无机多异质结纳米阵列的广谱光电探测器,其特征在于,包括ITO透明导电玻璃,位于ITO透明导电玻璃上的β‑Ga2O3/GaN异质结纳米片阵列,镶嵌于β‑Ga2O3/GaN异质结纳米片阵列之间和位于β‑Ga2O3/GaN异质结纳米片阵列上的(NH4)x(CH3CH2NH3)1‑xPbI3单晶,分别位于(NH4)x(CH3CH2NH3)1‑xPbI3单晶和ITO透明导电玻璃上的Au薄膜电极;所述(NH4)x(CH3CH2NH3)1‑xPbI3单晶的x=0.2~0.8。
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