[发明专利]功率半导体器件的高电压终止结构有效
| 申请号： | 201711007642.4 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN107978639B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | E.格里布尔;A.莫泽尔;M.普法芬莱纳;F.沃尔特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L21/331;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;杜荔南 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体器件的高电压终止结构。功率半导体器件包括：半导体本体，被耦合至第一负载端子和第二负载端子并且包括具有第一导电类型的掺杂剂的漂移区；有源区，具有至少一个功率单元，至少一个功率单元至少部分延伸到半导体本体中且与第一负载端子电连接且包括漂移区的一部分，至少一个功率单元包括漂移区的区段并且被配置成在端子之间传导负载电流且阻断施加在端子之间的阻断电压；芯片边缘，在横向上终止半导体本体；以及非有源终止结构，被布置在芯片边缘和有源区中间且包括欧姆层，其中欧姆层：被布置在半导体本体的表面上；形成第一负载端子的电位和第二负载端子的电位之间的欧姆连接；以及在横向上沿着所述欧姆连接进行结构化。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 电压 终止 结构 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件（1），包括：半导体本体（10），被耦合至第一负载端子（11）和第二负载端子（12）并且包括具有第一导电类型的掺杂剂的漂移区（100）；‑ 有源区（16），具有至少一个功率单元（14），所述至少一个功率单元（14）至少部分延伸到该半导体本体（10）中且与第一负载端子（11）电连接且包括所述漂移区（100）的一部分，该至少一个功率单元（14）包括漂移区（100）的区段并且被配置成在所述端子（11、12）之间传导负载电流且阻断施加在所述端子（11、12）之间的阻断电压；‑ 芯片边缘（19），在横向上终止该半导体本体（10）；‑ 非有源终止结构（18），被布置在该芯片边缘（19）和有源区（16）中间并且包括欧姆层（17）、第一半导体区（181）和第二半导体区（182），第一半导体区（181）和第二半导体区（182）均包括第二导电类型的掺杂剂，其中该第一半导体区（181）电连接至第一负载端子（11）并且在横向上与第一负载端子（11）重叠；其中该欧姆层（17）：‑ 由非晶硅或半绝缘多晶硅制成；‑ 被布置在该半导体本体（10）的表面（10‑1）上；‑ 在第一负载端子（11）的电位（111）和第二负载端子（12）的电位（121）之间形成欧姆连接；‑ 在横向上与第二半导体区（182）重叠；以及‑ 在横向上沿着所述欧姆连接进行结构化。
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