[发明专利]一种制备（002）取向的AZO透明导电薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种制备(002)取向的AZO透明导电薄膜的制备方法。这种薄膜光电性能优异。本发明采用下述技术方案1)将二水乙酸锌溶解在乙二醇甲醚溶剂中，加入一定量的乙醇胺和九水硝酸铝，反应制得AZO前驱体溶胶；2)将前驱体溶胶旋涂于基片上，得到AZO凝胶薄膜，高温处理后重复旋涂多次；3)将AZO薄膜在空气中500‑550℃预处理30‑60min，然后在95N2/5H2混合气体中，压强1.31×105Pa，500‑550℃烧结30‑60min，降至室温后即可得到(002)取向生长的AZO薄膜。AZO薄膜的电阻率可达1.27×10‑3Ωcm，在可见光范围内平均透光率高于90％。

主权项

一种制备(002)取向的AZO透明导电薄膜的方法，其特征在于制备的AZO薄膜为(002)取向生长，且其光电性能优异，主要包括以下步骤：1)前驱体胶体制备：将二水乙酸锌溶解在乙二醇甲醚溶剂中，加入一定量的乙醇胺作为稳定剂，搅拌溶解后，加入适量的九水硝酸铝，50‑70℃恒温水浴搅拌3‑4h后，然后过滤，将过滤后的溶胶老化60‑80h，得到金属离子浓度为0.2‑0.6mol/L的AZO前驱体溶胶；2)AZO薄膜的制备：将步骤1)制得的前驱体溶胶，采用旋涂方法沉积在清洗过的基片上，得到AZO凝胶薄膜，在空气中400‑500℃预处理8‑15min，然后降至室温，再重复旋涂，得到一定厚度的AZO薄膜；3)AZO薄膜在高纯95N2/5H2混合气体中的退火处理：将步骤2)制备的AZO薄膜放入管式炉中，从室温开始加热，升温速率为3‑5℃/min，首先500‑550℃预处理30‑60min，然后在保持500‑550℃情况下抽真空至低于10Pa，接着充入高纯95N2/5H2混合气体，然后再抽真空至低于10Pa，接着再次充入高纯95N2/5H2混合气体，如此反复抽真空3‑5次后，充入高纯95N2/5H2混合气体，压强保持在1.31×105Pa，继续在500‑550℃烧结30‑60min，烧结完毕，在保持压强的情况下，停止加热，自然冷却至室温，停止通气，即可得到(002)取向生长的AZO薄膜。