[发明专利]一种Ka波段SiGeBiCMOS射频功率放大器在审
| 申请号： | 201710996862.8 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN107659278A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 龚平 | 申请（专利权）人： | 绵阳鑫阳知识产权运营有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/193 | 分类号： | H03F3/193;H03F3/21;H03F3/24 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙)51220 | 代理人： | 田甜 |
| 地址： | 621000 四川省绵*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Ka波段SiGe BiCMOS射频功率放大器，包括依次连接的输入匹配网络、前级增益放大电路、级间匹配网络、后级功率放大电路和阻抗变换网络；所述前级增益放大电路、后级功率放大电路均包括SiGe BiCMOS；所述前级增益放大电路、后级功率放大电路的输入端分别连接有第一偏置电路、第二偏置电路。采用二级放大，且采用SiGe BiCMOS作为放大管，能够满足在较高的效率下实现足够的增益和输出功率，解决CMOS性能差，III‑V族半导体成本高、体积大等问题，而且其具有比较高的特征频率和噪声特性，更利于集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ka 波段 sigebicmos 射频 功率放大器 | ||
【主权项】：
一种Ka波段SiGe BiCMOS射频功率放大器，其特征在于，包括依次连接的输入匹配网络、前级增益放大电路、级间匹配网络、后级功率放大电路和阻抗变换网络；所述前级增益放大电路、后级功率放大电路均包括SiGe BiCMOS；所述前级增益放大电路、后级功率放大电路的输入端分别连接有第一偏置电路、第二偏置电路。
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