[发明专利]一种Ka波段SiGeBiCMOS射频功率放大器在审
| 申请号： | 201710996862.8 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN107659278A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 龚平 | 申请（专利权）人： | 绵阳鑫阳知识产权运营有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/193 | 分类号： | H03F3/193;H03F3/21;H03F3/24 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙)51220 | 代理人： | 田甜 |
| 地址： | 621000 四川省绵*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ka 波段 sigebicmos 射频 功率放大器 | ||
1.一种Ka波段SiGe BiCMOS射频功率放大器，其特征在于，包括依次连接的输入匹配网络、前级增益放大电路、级间匹配网络、后级功率放大电路和阻抗变换网络；
所述前级增益放大电路、后级功率放大电路均包括SiGe BiCMOS；
所述前级增益放大电路、后级功率放大电路的输入端分别连接有第一偏置电路、第二偏置电路。
2.根据权利要求1所述的一种Ka波段SiGe BiCMOS射频功率放大器，其特征在于，所述输入匹配网络、级间匹配网络和阻抗变换网络的电路结构相同。
3.根据权利要求1所述的一种Ka波段SiGe BiCMOS射频功率放大器，其特征在于，所述输入匹配网络包括串联在输入端的第一电感和第一电容、连接在输入端且另一端接地的第二电容。
4.根据权利要求3所述的一种Ka波段SiGe BiCMOS射频功率放大器，其特征在于，所述第一电容的容值为1425pF至1575pF。
5.根据权利要求3所述的一种Ka波段SiGe BiCMOS射频功率放大器，其特征在于，所述第一电容的容值为1500.1pF。
6.根据权利要求1所述的一种Ka波段SiGe BiCMOS射频功率放大器，其特征在于，所述第一偏置电路包括第二电感，所述第二电感的两端分别连接在前级增益放大电路的输入端和电源上。
7.根据权利要求1所述的一种Ka波段SiGe BiCMOS射频功率放大器，其特征在于，所述第二偏置电路包括相串联后一端连接在电源上且另一端连接在后级功率放大电路的输入端的第二电阻和第五电感。
8.根据权利要求1所述的一种Ka波段SiGe BiCMOS射频功率放大器，其特征在于，所述前级增益放大电路还包括依次连接在SiGe BiCMOS集电极上的第三电感、第一电阻，所述第一电阻的另一端连接在电源上，前级增益放大电路SiGe BiCMOS的发射极接地。
9.根据权利要求1所述的一种Ka波段SiGe BiCMOS射频功率放大器，其特征在于，所述后级功率放大电路还包括第六电感，所述第六电感的一端连接在电源上且另一端与SiGe BiCMOS集电极相连，后级功率放大电路SiGe BiCMOS的发射极接地。
10.根据权利要求8或者9所述的一种Ka波段SiGe BiCMOS射频功率放大器，其特征在于，所述地为芯片的最高层金属。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于绵阳鑫阳知识产权运营有限公司，未经绵阳鑫阳知识产权运营有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710996862.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于削峰电路的低失真功放系统
- 下一篇：一种时间放大器和半导体存储器
