[发明专利]单栅极非挥发性内存的擦除方法在审
| 申请号： | 201710993967.8 | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109698005A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 林信章;黄文谦;骆玮彤 | 申请（专利权）人： | 亿而得微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王戈 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种单栅极非挥发性内存的擦除方法，此非挥发性内存具有单浮接栅极结构，进行擦除操作时，是对于漏极施加电压，而栅极不施以电压，以藉由漏极电压来产生及控制反层，从而降低擦除电压与提升擦除速度，并可防止过度擦除的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 非挥发性内存 擦除 单栅极 擦除操作 擦除电压 过度擦除 漏极电压 施加电压 栅极结构 浮接 漏极 | ||
【主权项】：
1.一种单栅极非挥发性内存的擦除方法，该非挥发性内存包括一P型半导体基底、一晶体管与一电容结构，该晶体管与该电容结构设置于该P型半导体基底，该晶体管包括一第一导电栅极与多个第一离子掺杂区，且各所述第一离子掺杂区在该第一导电栅极的两侧分别形成源极及漏极，该电容结构包括一第二离子掺杂区与一第二导电栅极，且该第一导电栅极与该第二导电栅极电连接而形成一单浮接栅极，该擦除方法包括，其特征在于：在该P型半导体基底、该源极与该漏极上分别施加一基底电压Vsub、一源极电压Vs与一漏极电压Vd，在该第一离子掺杂区上不施以电压，并满足下列条件：Vd>Vs≧Vsub；及Vsub为接地。
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