[发明专利]通孔的制造方法有效
| 申请号： | 201710991216.2 | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN107644842B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 刘善善;朱兴旺;朱黎敏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通孔的制造方法，包括步骤：步骤一、在衬底上形成通孔的开口。步骤二、采用SIP工艺形成由Ti层和第一TiN层叠加的第一层阻挡层。步骤三、形成由第二TiN层组成的第二层阻挡层。步骤四、进行金属钨沉积将通孔的开口完全填充。本发明能改善阻挡层的成膜质量，防止钨残留，提高产品结构的完整性。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种通孔的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在衬底上形成通孔的开口；步骤二、形成第一层阻挡层，所述第一层阻挡层包括依次叠加的Ti层和第一TiN层，第一层阻挡层形成于所述通孔的开口的内侧表面并延伸到所述通孔的开口外侧；所述Ti层和所述第一TiN层都采用自离子化等离子体工艺形成，以提高所述第一层阻挡层对所述通孔的开口的台阶覆盖率；步骤三、形成第二层阻挡层，所述第二层阻挡层形成于所述第一层阻挡层的表面；所述第二层阻挡层由第二TiN层组成，所述第二层阻挡层的形成工艺为不包括自离子化等离子体工艺的金属化学气相沉积工艺；步骤四、进行金属钨沉积将所述通孔的开口完全填充。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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