[发明专利]一种多晶硅层桥接断路的解决方法有效
| 申请号： | 201710985194.9 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN107706103B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 王飞舟;张月雨;汪悦;于世瑞 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 智云<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种多晶硅层桥接断路的解决方法，包括：获取多晶硅层，以及有源区层，接触孔层等参考层的完整设计版图，针对多晶硅层选出线宽小于第一设定线宽，图形间距小于第一设定图形间距的图形，标记为问题图形；针对问题图形选出多晶硅层线宽小于第二设定线宽，且到相邻图形间距小于第二设定图形间距的边，将其与相邻图形正对的部分进行扩大或合并操作；生成多晶硅层切割图形，以初始问题图形邻边正对部分生成一个矩形，以此矩形中心为原点，填补一块设定尺寸大小的切割图形；对生成的多晶硅层切割图形进行正常的OPC后续修正处理,得到OPC修正结果。本发明通过对多晶硅层进行扩大或合并操作，同时添加相应的多晶硅切割图形，解决上述桥接或断路问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 硅层桥接 断路 解决方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅层桥接断路的解决方法，其特征在于，包括下列步骤：/n获取多晶硅层，以及有源区层，接触孔层参考层的完整设计版图，针对多晶硅层选出线宽小于第一设定线宽，图形间距小于第一设定图形间距的图形，标记为问题图形；/n针对上述问题图形选出多晶硅层线宽小于第二设定线宽，且到相邻图形间距小于第二设定图形间距的边，将其与相邻图形正对的部分进行扩大或合并操作，以满足光刻工艺要求；/n生成多晶硅层切割图形，在初始问题图形邻边正对部分生成一个矩形，以此矩形中心为原点，填补一块设定尺寸大小的切割图形；/n对生成的多晶硅层切割图形进行正常的OPC后续修正处理,得到OPC修正结果。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710985194.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
