[发明专利]一种基于二维二硫化钼-二硫化铼异质结的光电子器件、制备方法及应用有效
| 申请号： | 201710985169.0 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN107833940B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 吕斌;徐易扬;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310013 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于二维MoS |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 二维 二硫化钼 硫化 铼异质结 光电子 器件 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种基于二维MoS2‑ReS2异质结的光电子器件，其特征在于，包括：N型本证衬底层；设置于所述N型本证衬底层上的绝缘层；设置于所述绝缘层上的MoS2层和ReS2层，所述MoS2层与所述ReS2层范德瓦尔斯接触，形成MoS2‑ReS2异质结；设置于所述ReS2层的第一金属过渡层，设置在所述MoS2层上的第二金属过渡层；以及，设置于所述第一过渡金属层和第二过渡金属层上的电极层；所述MoS2层为MoS2单晶层，所述ReS2层包括3～10层ReS2单晶层；所述第一金属过渡层的材料与多数第二金属过渡层的材料不同。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
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