[发明专利]一种氧化物忆阻器的全溶液制备方法有效
| 申请号： | 201710966487.2 | 申请日： | 2017-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN107946459B | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 王敬蕊;诸葛飞;郑秀;曹鸿涛 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院;中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人： | 张宇娟 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化物忆阻器的全溶液制备方法，所述氧化物忆阻器由下至上依次包括衬底、底电极层、中间介质层、以及顶电极层，其中所述底电极层的材料为AZO导电薄膜，厚度为50~300nm；所述中间介质层的材料为ZnO，厚度为20~100nm；所述顶电极层的材料为石墨烯薄膜，厚度为20~200nm。所述全溶液法制备氧化物忆阻器包括三个主要步骤：溶胶‑凝胶法在清洗后的衬底上制备AZO底电极层，在底电极层上沉积ZnO中间介质层，抽滤法在AZO中间介质层上沉积石墨烯顶电极层。本发明通过全溶液方法制得忆阻器，大大降低了制备忆阻器的成本，且工艺简单，适合大规模工业化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 忆阻器 溶液 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种全溶液法制备氧化物忆阻器的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，采用溶胶‑凝胶法在清洗后的衬底上制备AZO底电极层；步骤2，采用溶胶‑凝胶法在底电极层上沉积ZnO中间介质层；步骤3，采用抽滤法在AZO中间介质层上沉积石墨烯顶电极层。
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