[发明专利]一种光刻对准方法在审
| 申请号： | 201710961708.7 | 申请日： | 2017-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN109669325A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 黄涛 | 申请（专利权）人： | 晶能光电（江西）有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光刻对准方法，包括：S1在待光刻基底上进行第一道光刻工序得到第一光刻图形，第一光刻图形中包括下一道光刻工序的对位标记；S2在第一光刻图形表面进行第二道光刻工序得到第二光刻图形，第二光刻图形中包括下一道光刻工序的对位标记；S3在第二光刻图形表面进行第三道光刻工序得到第三光刻图形，其中，当其不为最后一道光刻工序，则第三光刻图形中包括下一道光刻工序的对位标记，否则不包括下一道光刻工序的对位标记。采用一对一的光刻对准方法，将误差限定在每一次的光刻中，得到的图形不会超出上次的光刻图形，避免累积误差，极大地提升制程稳定性与良率确保光刻机对准精度内的图形设计对准精确，不出现图形偏移。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻图形 光刻工序 光刻 对位标记 对准 累积误差 图形设计 光刻机 偏移 一对一 基底 良率 制程 | ||
【主权项】：
1.一种光刻对准方法，其特征在于，光刻工艺中包括三道或三道以上光刻工序，所述对准方法中包括：S1在待光刻基底上进行第一道光刻工序得到第一光刻图形，所述第一光刻图形中包括下一道光刻工序的对位标记；S2在所述第一光刻图形表面进行第二道光刻工序得到第二光刻图形，所述第二光刻图形中包括下一道光刻工序的对位标记；S3在所述第二光刻图形表面进行第三道光刻工序得到第三光刻图形，其中，当其不为最后一道光刻工序，则所述第三光刻图形中包括下一道光刻工序的对位标记，否则不包括下一道光刻工序的对位标记。
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