[发明专利]用于改善电流过冲的叠层HfO2基阻变存储器及其制作方法在审
| 申请号： | 201710953797.0 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN107958955A | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 高海霞;马匆匆;谷茜茜;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心61205 | 代理人： | 王品华,朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善电流过冲现象的叠层HfO2基阻变存储器及其制作方法。该器件自下而上包括衬底(1)、底电极(2)和顶电极(5)，其中底电极(2)与顶电极(5)之间依次设有厚度为30～40nm，氧氩比为15～20％的HfOx供氧层(3)和厚度为10～20nm，氧氩比为40％～45％的HfOy阻变层(4)，HfOx供氧层(3)中存在大量的氧空位缺陷，充当氧空位“水泵”作用，HfOy阻变层(4)用于实现导电细丝的形成与断裂，完成高低阻态之间的转换。本发明通过优化阻变层HfOy介质薄膜的组分来改变薄膜质量，控制介质中的缺陷，提高了器件性能，从而改善了电流过冲效应，可用于大规模集成电路的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 流过 hfo2 基阻变 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种用于改善电流过冲的叠层HfO2基阻变存储器，自下而上包括：衬底(1)、底电极(2)和顶电极(5)，其特征在于:底电极(2)与顶电极(5)之间依次设有HfOx供氧层(3)和HfOy阻变层(4)，HfOx供氧层(3)中存在大量的氧空位缺陷，充当氧空位“水泵”作用，HfOy阻变层(4)用于实现导电细丝的形成与断裂，完成高低阻态之间的转换；所述HfOx供氧层(3)，厚度为30～40nm，氧氩比为15～20％；所述HfOy阻变层(4)，厚度为10～20nm，氧氩比为40％～45％。
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