[发明专利]一种P25负载分子态钴/镍等活性位点材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201710939183.7 申请日: 2017-09-30
公开(公告)号: CN107552053B 公开(公告)日: 2020-09-22
发明(设计)人: 赵桂霞;王祥学;文涛;王祥科 申请(专利权)人: 华北电力大学
主分类号: B01J23/75 分类号: B01J23/75;B01J23/755
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 张文宝
地址: 102206 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明的目的是提供一种在二氧化钛表面修饰分子态钴/镍活性位点,主要以P25为半导体基底,在湿法化学方法下以EDTA‑过渡金属配合物为前驱体,经过焙烧处理得到表面均匀分布的钴/镍分子态活性中心。本方法生产工艺简单,绿色环保,前驱体廉价,并且所得的修饰后的P25具备高效的光催化性能,相比其他金属盐前驱体,本方法首次提出EDTA‑过渡金属配合物这种鳌合物的优异功能。对于催化领域具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 p25 负载 分子 活性 材料 制备 方法
【主权项】:
一种以分子态钴/镍等活性位点表面修饰二氧化钛而提高光催化活性的方法,其特征在于,利用EDTA‑钴(即乙二胺‑N,N,N',N'‑四乙酸钴(II)二钠盐四水合物)络合分子作为前体,该前体在高温下能够发生脱羧反应并且中心钴离子与二氧化钛的表面形成键合作用,从而对光生电子产生更加高效的捕获进而提高光活性及光子效率,具体操作:取商用二氧化钛P25,加入甲醇作为溶剂N,磁力搅拌,在搅拌下加入少量EDTA‑钴络合分子前驱体,并且维持温度40摄氏度,搅拌至溶剂挥发完毕,将所得固体在300‑400摄氏度下氩气气氛中焙烧1个小时;其中,所述原料配比如下:EDTA‑Co:P25:CH3OH=1~3:10:1000。
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