[发明专利]提升激光损伤阈值的基片处理方法在审
申请号: | 201710931656.9 | 申请日: | 2017-10-09 |
公开(公告)号: | CN107838117A | 公开(公告)日: | 2018-03-27 |
发明(设计)人: | 朱美萍;曾婷婷;邵建达;柴英杰;许诺;尹超奕;易葵 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | B08B3/12 | 分类号: | B08B3/12;B08B3/02;B08B3/08;B08B7/00 |
代理公司: | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31317 | 代理人: | 张宁展 |
地址: | 201800 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 采用热处理和超声清洗相结合的技术,提出一种提升基片表面及透射类薄膜元件激光损伤阈值的基片处理方法。利用热处理技术将基片亚表面的杂质颗粒析出至基片表面,然后通过超声清洗技术去除析出至基片表面的杂质颗粒。本发明能够在去除(亚)表面杂质颗粒的同时增加薄膜的附着力,提升基片表面及透射类薄膜元件的激光损伤阈值。 | ||
搜索关键词: | 提升 激光 损伤 阈值 处理 方法 | ||
【主权项】:
一种提升基片表面及透射类薄膜元件激光损伤阈值的基片处理方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:步骤1)采用超声清洗方法清除基片表面污染,具体为:①去离子水喷淋3‑30分钟;②碱液超声清洗3‑10分钟,超声频率为40KHz;③去离子水喷淋,时间3‑30分钟,冲洗残留的清洗剂;④去离子水超声清洗3‑10分钟,超声频率为40KHz;⑤从清洗槽中提出基片;⑥超净环境中红外烘烤基片5分钟以上;步骤2)采用热处理技术使基片亚表面的杂质颗粒析出至基片表面:将基片置于在烤箱中进行热处理,热处理温度:200~800℃;热处理时间:2~8小时;热处理气氛:大气环境;待基片在烤箱中自然冷却至室温后取出基片;步骤3)采用超声清洗方法清除析出至基片表面的杂质污染物,具体为:①去离子水喷淋5‑30分钟;②碱液超声清洗3‑10分钟,超声频率为40KHz;③去离子水喷淋,时间5‑30分钟,冲洗残留的清洗剂;④去离子水超声清洗3‑10分钟,超声频率为40KHz;⑤从清洗槽中提出基片;⑥超净环境中红外烘烤基片5分钟以上。
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