[发明专利]显示装置有效
| 申请号： | 201710928567.9 | 申请日： | 2013-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN107564967B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 横山雅俊;小森茂树;佐藤学;冈崎健一;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及显示装置。本发明的目的是通过抑制因来自有机绝缘膜的释放气体造成的晶体管特性的变动，来提高显示装置的可靠性。该显示装置包括晶体管(150)、为了减少因该晶体管(150)导致的不均匀度而设置于晶体管(150)上的有机绝缘膜(117)、以及有机绝缘膜(117)上的电容器(170)。有机绝缘膜(117)的整体表面不被在晶体管(150)的上侧上的电容器(170)的构成要素覆盖，并且来自有机绝缘膜(117)的释放气体能够从有机绝缘膜(117)的上表面的露出部分释放到外部。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：包含沟道形成区的半导体层；与所述沟道形成区重叠的栅电极；所述半导体层和所述栅电极之上的第一无机绝缘膜；所述第一无机绝缘膜之上的有机绝缘膜；以及在所述有机绝缘膜之上并与所述有机绝缘膜接触的第二无机绝缘膜，其中所述有机绝缘膜包括不与所述第二无机绝缘膜重叠且与所述第一无机绝缘膜和所述半导体层重叠的区域。
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