[发明专利]V2O5/Al2O3双层栅介质的金刚石场效应晶体管及制作方法

摘要

本发明公开了一种基于V2O5/Al2O3双层栅介质的金刚石金属氧化物半导体场效应晶体管，主要解决现有技术器件导通电阻大，输出电流和跨导小以及击穿电压低的问题。其自下而上包括金刚石衬底(1)、吸附层(2)和栅介质层(3)，该栅介质层(3)采用V2O5/Al2O3双层结构；栅介质层(3)的上面是栅电极(4)，栅介质层(3)的两侧设有源漏电极(5)，栅电极(4)和源漏电极(5)的表面覆盖有钝化层(6)；该钝化层(6)采用V2O5材料，其与栅电极(4)和源漏电极(5)的键合处分别设有通孔(7)。本发明具有导通电阻和串联电阻小，输出电流与跨导大，稳定性好的优点，可用于小尺寸的微波功率器件。

主权项

一种基于V2O5/Al2O3双层栅介质的金刚石金属氧化物半导体场效应晶体管，自下而上包括金刚石衬底(1)、吸附层(2)和栅介质层(3)，栅介质层(3)的上面是栅电极(4)，栅介质层(3)的两侧设有源漏电极(5)，栅电极(4)和源漏电极(5)的表面覆盖有钝化层(6)，钝化层(6)与栅电极(4)和源漏电极(5)的键合处分别设有通孔(7)，其特征在于：栅介质层(3)采用V2O5/Al2O3双层栅介质，钝化层(6)采用V2O5材料。