[发明专利]一种基于电极表面原位生长NiO纳米薄膜的NO2传感器有效

专利信息
申请号: 201710897155.3 申请日: 2017-09-28
公开(公告)号: CN107817279B 公开(公告)日: 2019-10-29
发明(设计)人: 沈岩柏;赵思凯;李停停;李国栋;魏德洲;高淑玲;韩聪 申请(专利权)人: 东北大学
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12
代理公司: 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人: 李娜;李馨
地址: 110169 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及一种基于电极表面原位生长NiO纳米薄膜的NO2传感器及其制备方法,属于一维金属氧化物半导体材料的气体传感器技术领域。一种基于电极表面原位生长NiO纳米薄膜的NO2传感器,所述传感器由电极元件及均匀原位生长在电极元件表面的NiO薄膜组成,其中,所述NiO薄膜由NiO晶体颗粒构成,所述NiO晶体颗粒为面心立方相晶体结构,直径为20~30nm。该气体传感器在工作温度为150℃时获得对NO2的最大灵敏度,响应和恢复时间短,选择性高,长期稳定性好,有效解决了传统金属氧化物半导体式气体传感器制备工艺流程复杂、选择性与长期稳定性较差等不足,是具有良好发展前景的NO2气体传感器。
搜索关键词: 一种 基于 电极 表面 原位 生长 nio 纳米 薄膜 no2 传感器
【主权项】:
1.一种基于电极表面原位生长NiO纳米薄膜的NO2传感器,其特征在于:所述传感器由电极元件及均匀原位生长在电极元件表面的NiO薄膜组成,其中,所述NiO薄膜由NiO晶体颗粒构成,所述NiO晶体颗粒为面心立方相晶体结构,直径为20~30nm,所述传感器是通过在电极元件表面原位生长NiO纳米薄膜所得,所述原位生长NiO纳米薄膜的方法为:采用提拉涂膜法在电极元件表面涂覆NiO溶胶,干燥;将表面涂覆有NiO溶胶的电极元件进行热处理,条件为:以3℃/min的升温速率加热至500℃并保持1h;250~300℃下老化24h,既得,其中,所述NiO溶胶按如下方法制得:室温下,向四水合乙酸镍中加入乙二醇甲醚,搅拌,使四水合乙酸镍完全溶于乙二醇甲醚之中;将所形成的溶液于60℃继续搅拌2h,并向溶液中逐滴滴加25~28wt.%的氨水;密封,在室温下陈化24h,过滤,得到NiO溶胶,其中,四水合乙酸镍、氨水、乙二醇甲醚的摩尔比为5~7:5~7:100。
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