[发明专利]显示面板、显示装置及低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法有效
申请号: | 201710883918.9 | 申请日: | 2017-09-26 |
公开(公告)号: | CN107481938B | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 张嘉伟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/786;H01L27/12 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 430070 湖北省武汉市武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种显示面板、显示装置及低温多晶硅薄膜晶体管制备方法。该方法包括:提供衬底基板;在衬底基板上形成半导体层;在半导体层上形成第一绝缘层;在第一绝缘层上形成第一金属层,对第一金属层进行图形化处理,得到第一金属栅极层;在第一金属层上形成第二绝缘层;在第二绝缘层上形成第二金属层,对第二金属层进行图形化处理,得到第二金属栅极层,第一、二金属层的材料采用钼、钽、铝、钨中的至少一种;在第二金属层上形成第三绝缘层;在第三绝缘层上形成第三金属层,并对第三金属层进行图形化处理,以形成源极和漏极;在第二绝缘层上形成使第一、二金属栅极层连接的第一过孔,在第三绝缘层上形成使源极和漏极与半导体层连接的第二过孔。 | ||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 低温 多晶 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一衬底基板;在所述衬底基板上形成半导体层;在所述半导体层上形成第一绝缘层;在所述第一绝缘层上形成第一金属层,并对所述第一金属层进行图形化处理,以得到第一金属栅极层;在所述第一金属层上形成第二绝缘层;在所述第二绝缘层上形成第二金属层,并对所述第二金属层进行图形化处理,得到第二金属栅极层,其中,所述第一金属栅极层和所述第二金属栅极层连接;在所述第二金属层上形成第三绝缘层;在所述第三绝缘层上形成第三金属层,并对所述第三金属层进行图形化处理,以形成源极和漏极,其中,所述源极和所述漏极与所述半导体层连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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