[发明专利]显示面板、显示装置及低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法有效

专利信息
申请号: 201710883918.9 申请日: 2017-09-26
公开(公告)号: CN107481938B 公开(公告)日: 2020-02-18
发明(设计)人: 张嘉伟 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L29/786;H01L27/12
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 430070 湖北省武汉市武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种显示面板、显示装置及低温多晶硅薄膜晶体管制备方法。该方法包括:提供衬底基板;在衬底基板上形成半导体层;在半导体层上形成第一绝缘层;在第一绝缘层上形成第一金属层,对第一金属层进行图形化处理,得到第一金属栅极层;在第一金属层上形成第二绝缘层;在第二绝缘层上形成第二金属层,对第二金属层进行图形化处理,得到第二金属栅极层,第一、二金属层的材料采用钼、钽、铝、钨中的至少一种;在第二金属层上形成第三绝缘层;在第三绝缘层上形成第三金属层,并对第三金属层进行图形化处理,以形成源极和漏极;在第二绝缘层上形成使第一、二金属栅极层连接的第一过孔,在第三绝缘层上形成使源极和漏极与半导体层连接的第二过孔。
搜索关键词: 显示 面板 显示装置 低温 多晶 薄膜晶体管 制备 方法
【主权项】:
一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一衬底基板;在所述衬底基板上形成半导体层;在所述半导体层上形成第一绝缘层;在所述第一绝缘层上形成第一金属层,并对所述第一金属层进行图形化处理,以得到第一金属栅极层;在所述第一金属层上形成第二绝缘层;在所述第二绝缘层上形成第二金属层,并对所述第二金属层进行图形化处理,得到第二金属栅极层,其中,所述第一金属栅极层和所述第二金属栅极层连接;在所述第二金属层上形成第三绝缘层;在所述第三绝缘层上形成第三金属层,并对所述第三金属层进行图形化处理,以形成源极和漏极,其中,所述源极和所述漏极与所述半导体层连接。
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