[发明专利]一种免曝光显影的刻蚀遮蔽层的制备方法及制备系统在审
| 申请号： | 201710866020.0 | 申请日： | 2017-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN107768243A | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 尹易彪 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种免曝光显影的刻蚀遮蔽层的制备方法，用于在半导体工艺中制备刻蚀遮蔽层，其中，所述制备方法是在一待刻蚀层上静电喷射掩蔽材料以形成所述刻蚀遮蔽层。本发明所述的免曝光显影的刻蚀遮蔽层的制备方法及制备系统，利用高压静电喷涂技术在待刻蚀层上直接形成刻蚀遮蔽层，从而免去刻蚀工艺中的光刻步骤，既简化制程，又避免了刻蚀掩蔽材料的浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 曝光 显影 刻蚀 遮蔽 制备 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种免曝光显影的刻蚀遮蔽层的制备方法，用于在刻蚀工艺中制备刻蚀遮蔽层，其特征在于，所述制备方法是在一待刻蚀层上静电喷射掩蔽材料以形成所述刻蚀遮蔽层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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