[发明专利]介质阻挡放电等离子体制备还原氧化石墨烯的方法有效

专利信息
申请号: 201710855342.5 申请日: 2017-09-20
公开(公告)号: CN107686108B 公开(公告)日: 2020-05-29
发明(设计)人: 王召;彭祥凤;侯宝红;郝红勋;龚俊波;王永莉;鲍颖;张美景;尹秋响 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C01B32/184 分类号: C01B32/184
代理公司: 天津盛理知识产权代理有限公司 12209 代理人: 赵熠
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及一种介质阻挡放电等离子体制备还原氧化石墨烯的方法,包括以下步骤:⑴将氧化石墨烯放置在等离子体装置中的两个电极之间;⑵通入等离子体放电气体;⑶在两个电极上施加高电压,装置产生等离子体,处理一段时间后得到成品。本发明中,设备简单、操作简便、能耗低、无污染,生产效率高,且碳源转化率达到90%以上,比表面积从热处理还原法的100m2/g左右提高到400m2/g以上,是一种成本低、易于推广、适合实际生产的新型制备方法。
搜索关键词: 介质 阻挡 放电 等离子体 制备 还原 氧化 石墨 方法
【主权项】:
一种介质阻挡放电等离子体制备还原氧化石墨烯的方法,其特征在于:包括以下步骤:⑴将氧化石墨烯放置在等离子体装置中的两个电极之间;⑵通入等离子体放电气体;⑶在两个电极上施加高电压,装置产生等离子体,处理一段时间后得到成品。
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