[发明专利]用于光电催化产氢的六方纳米片状ZnO-g-C3 有效
| 申请号： | 201710838871.4 | 申请日： | 2017-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN107570195B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 刘志锋;鲁雪;王新华;李军伟;王轩;陈培旸 | 申请（专利权）人： | 天津城建大学 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24;C25B1/04;C25B11/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明公开了用于光电催化产氢的六方纳米片状ZnO‑g‑C |
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| 搜索关键词： | 用于 光电 催化 纳米 片状 zno base sub | ||
【主权项】：
用于光电催化产氢的六方纳米片状ZnO‑g‑C3N4薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：制备ZnO种子层(1)配制ZnO溶胶；(2)采用浸渍提拉法制备ZnO种子层；步骤二：制备g‑C3N4粉末(1)采用热缩聚合法制备g‑C3N4块体；(2)将(1)中的g‑C3N4块体经过研磨得到g‑C3N4粉末；步骤三：制备六方纳米片状ZnO‑g‑C3N4薄膜(1)采用超声法将g‑C3N4粉末加入到ZnO生长溶液；(2)将步骤一中制得的ZnO种子层放入加有g‑C3N4粉末的ZnO生长溶液中，经过水热法制得六方纳米片状ZnO‑g‑C3N4薄膜。
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