[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法

摘要

由鳍式FET构成的分栅式MONOS存储器的栅电极的电阻被降低。分栅式MONOS存储器的存储栅电极由在鳍上依次形成的第一多晶硅膜、金属膜和第二多晶硅膜形成。在横向上彼此相邻的鳍部之间的沟槽中填充有包括第一多晶硅膜、金属膜和第二多晶硅膜的层叠膜，而不是只填充有第一多晶硅膜。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底；多个突起，所述多个突起分别是所述半导体衬底的一部分，从所述半导体衬底的顶部突出，并且沿着所述半导体衬底的顶部在第一方向上延伸；第一栅电极，所述第一栅电极设置在每一个突起的顶部之上，所述第一栅电极和所述突起之间具有第一绝缘膜，并且所述第一栅电极沿与所述第一方向正交的第二方向延伸；第二栅电极，所述第二栅电极设置在突起的顶部和侧面之上，所述第二栅电极与突起的顶部和侧面之间具有包括电荷存储部的第二绝缘膜，所述第二栅电极与所述第一栅电极的一个侧面相邻，所述第二栅电极与所述第一栅电极的该侧面之间具有所述第二绝缘膜，并且所述第二栅电极沿所述第二方向延伸；以及源极区域和漏极区域，所述源极区域和所述漏极区域设置在包括所述第一栅电极和所述第二栅电极的图案正下方的突起的顶部之上，以在所述第一方向上将该突起夹在所述源极区域与所述漏极区域之间；其中，所述第一栅电极、所述第二栅电极、所述源极区域、和所述漏极区域构成非易失性存储元件，并且其中，所述第二栅电极包括在所述半导体衬底之上依次形成的第一半导体膜和第一金属膜，并且所述第一半导体膜和所述第一金属膜嵌在所述第二方向上彼此相邻的两个突起之间。