[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201710827448.4 | 申请日： | 2017-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN108628696B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 李在仁;金溶美 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10;G11C7/10;G11C29/04 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 李少丹;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 可以提供一种半导体器件。半导体器件可以包括：输入和输出(I/O)电路，其被配置为基于写入使能信号将从输入数据产生的传输数据输出为内部数据，并且被配置为基于写入使能信号来输出关于输入数据的错误信息。写入使能信号可以基于写入信号来产生，该写入信号可以根据是否执行错误校正操作而被延迟一延迟时间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括：输入输出I/O控制电路，其被配置为将写入信号延迟一延迟时间以产生写入使能信号；以及I/O电路，其被配置为基于写入使能信号将从输入数据产生的传输数据输出为内部数据，并且被配置为基于所述写入使能信号将包括关于输入数据的错误信息的奇偶校验位输出为内部奇偶校验位，其中，根据是否执行错误校正操作来控制所述延迟时间。
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