[发明专利]一种毫米波功率合成器件有效
| 申请号： | 201710823574.2 | 申请日： | 2017-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN107611547B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 李光福;王志强;高艳红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01P5/12 | 分类号： | H01P5/12 |
| 代理公司： | 13120 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人： | 苏英杰 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种毫米波功率合成器件，涉及毫米波功率器件技术领域；该功率合成器件包括第一层硅片和第二层硅片，第一层硅片顶面与第二层硅片背面晶圆级封装金金键合在一起；所述第一层硅片上设有通孔形成的功率分配网络、功率放大器芯片和功率合成网络，第一层硅片的背面功率分配网络和功率合成网络的分岔口设有湿法工艺蚀刻的盲槽；第一层硅片通过湿法刻蚀盲槽，放置放大器芯片，功率分配网络和功率合成网络利用硅基MEMS工艺蚀刻通孔形成基片集成波导结构实现，该功率合成器件易于与平面的放大器电路集成，具有较大的品质因数，使得损耗较小，合成效率高，可实现宽频带的匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 毫米波 功率 合成 器件 | ||
【主权项】：
1.一种毫米波功率合成器件，其特征在于：包括第一层硅片和第二层硅片，第一层硅片顶面与第二层硅片背面通过晶圆级封装金金键合在一起；所述第一层硅片上设有功率分配网络(1)、功率放大器放置版块(3)和功率合成网络(2)；功率放大器芯片通过导电胶高温烘焙粘接在功率放大器放置版块(3)上；第二层硅片背面设有与第一层硅片相同的功率分配网络(1)和功率合成网络(2)；第二层硅片背面的功率分配网络(1)和功率合成网络(2)之间设有与第一层硅片上功率放大器放置版块(3)相配合的通槽(10)；第一层硅片的背面全部电镀金属，所述第一层硅片的顶面的功率分配网络(1)、功率放大器放置版块(3)和功率合成网络(2)部分电镀金属；所述第二层硅片背面的功率分配网络(1)和功率合成网络(2)电镀金属，第二层硅片顶面部分电镀金属通过硅通孔将功率放大器芯片的加电点(9)相连并引出到第二层硅片的加电位置(11)；功率放大器芯片的栅极与栅极相连，漏极与漏极相连，用于给功率放大器芯片加电；其特征在于：所述第一层硅片上设有功率分配网络(1)、功率放大器放置版块(3)和功率合成网络(2)均是由若干独立第一通孔(5)排列形成的，第一通孔(5)内侧电镀金属，形成基片集成平面传输波导结构。/n
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