[发明专利]一种毫米波功率合成器件有效

专利信息
申请号: 201710823574.2 申请日: 2017-09-13
公开(公告)号: CN107611547B 公开(公告)日: 2019-12-17
发明(设计)人: 李光福;王志强;高艳红 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
主分类号: H01P5/12 分类号: H01P5/12
代理公司: 13120 石家庄国为知识产权事务所 代理人: 苏英杰
地址: 050051 *** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 一种 毫米波 功率 合成 器件
【权利要求书】:

1.一种毫米波功率合成器件,其特征在于:包括第一层硅片和第二层硅片,第一层硅片顶面与第二层硅片背面通过晶圆级封装金金键合在一起;所述第一层硅片上设有功率分配网络(1)、功率放大器放置版块(3)和功率合成网络(2);功率放大器芯片通过导电胶高温烘焙粘接在功率放大器放置版块(3)上;第二层硅片背面设有与第一层硅片相同的功率分配网络(1)和功率合成网络(2);第二层硅片背面的功率分配网络(1)和功率合成网络(2)之间设有与第一层硅片上功率放大器放置版块(3)相配合的通槽(10);第一层硅片的背面全部电镀金属,所述第一层硅片的顶面的功率分配网络(1)、功率放大器放置版块(3)和功率合成网络(2)部分电镀金属;所述第二层硅片背面的功率分配网络(1)和功率合成网络(2)电镀金属,第二层硅片顶面部分电镀金属通过硅通孔将功率放大器芯片的加电点(9)相连并引出到第二层硅片的加电位置(11);功率放大器芯片的栅极与栅极相连,漏极与漏极相连,用于给功率放大器芯片加电;其特征在于:所述第一层硅片上设有功率分配网络(1)、功率放大器放置版块(3)和功率合成网络(2)均是由若干独立第一通孔(5)排列形成的,第一通孔(5)内侧电镀金属,形成基片集成平面传输波导结构。

2.根据权利要求1所述的一种毫米波功率合成器件,其特征在于所述第一层硅片的背面功率分配网络(1)和功率合成网络(2)的分岔口设有盲槽(4)和第二通孔(12);以实现宽频带的匹配和功率分配。

3.根据权利要求1或2所述的一种毫米波功率合成器件,其特征在于所述功率分配网络(1)结构为:功率分配网络(1)的输入端分成两路第一级分路(6),其中每一路第一级支路(6)分成两路第二级支路(7),每一路第二级支路(7)又分成两路第三级支路(8),第三级支路(8)中每一路引出都转换为CPWG接口,功率放大器芯片通过导电胶高温烘焙粘接在功率放大器放置版块(3)上,CPWG接口与放大器芯片的射频输入端通过微组装技术键合在一起;所述功率合成网络(2)结构为:第三级支路(8)中每一路都与一个功率放大器的射频输出端相连,第三级支路(8)中每一路的端口也是CPWG形式,第三级支路(8)中每一路的端口通过微组装技术将功率放大器芯片的射频输出端键合在第三级支路(8)中每一路的CPWG端口上,两路第三级支路(8)合成一路第二级支路(7),两路第二级支路(7)合成一路第一级支路(6)从而输出。

4.根据权利要求2所述的一种毫米波功率合成器件,其特征在于所述第一通孔(5)和第二通孔(12)是由干法刻蚀形成的。

5.根据权利要求2所述的一种毫米波功率合成器件,其特征在于所述盲槽(4)是通过湿法刻蚀形成的。

6.根据权利要求2或5所述的一种毫米波功率合成器件,其特征在于所述盲槽(4)为长方形。

7.根据权利要求1所述的一种毫米波功率合成器件,其特征在于所述功率分配网络(1)和功率合成网络(2)的拐角处设有第三通孔(13)。

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