[发明专利]画素结构及阵列基板有效
| 申请号： | 201710822527.6 | 申请日： | 2017-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN107479289B | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 陈帅 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/133 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种画素结构及阵列基板，该画素结构包括：像素单元、数据线以及第一扫描线；所述像素单元包含薄膜晶体管TFT和像素电极；所述TFT的栅极与所述第一扫描线电连接；所述TFT的漏极和源极中的一端与所述数据线电连接，另一端与所述像素电极电连接；所述像素电极与公共电极之间形成液晶电容；所述像素电极与第二扫描线之间形成储存电容，所述第二扫描线为所述第一扫描线的下一条扫描线。所述TFT开启后，所述数据线对所述像素电极进行充电，在充电的过程中，所述第二扫描线上的驱动电压从第一电压调整为第二电压。实施本发明实施例，可改善充电性能，提高显示效果。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 阵列 | ||
【主权项】：
一种画素结构，其特征在于，包括：像素单元、数据线以及第一扫描线；所述像素单元包含薄膜晶体管TFT和像素电极；所述TFT的栅极与所述第一扫描线电连接；所述TFT的漏极和源极中的一端与所述数据线电连接，另一端与所述像素电极电连接；所述像素电极与公共电极之间形成液晶电容；所述像素电极与第二扫描线之间形成储存电容，所述第二扫描线为所述第一扫描线的下一条扫描线；在所述第一扫描线施加在所述TFT的电压超过起始电压后，所述TFT的源极和所述TFT的漏极之间形成导通的通道；所述数据线在所述通道形成后的第一时长内通过所述通道对所述像素电极进行充电；所述第一时长按照时间顺序分为第二时长和第三时长，在所述第二时长内所述第二扫描线保持在第一电压，在所述第三时长内所述第二扫描线保持在第二电压，所述第一电压低于或高于所述第二电压，所述第二电压为关闭所述TFT的电压；所述起始电压为所述TFT的源极和漏极导通所需的最低电压。
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