[发明专利]高分子极化膜及电子器件有效
申请号: | 201710807826.2 | 申请日: | 2017-02-27 |
公开(公告)号: | CN107611253B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 王开安 | 申请(专利权)人: | 王开安 |
主分类号: | H01L41/193 | 分类号: | H01L41/193;H01L41/257 |
代理公司: | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人: | 王立红 |
地址: | 美国加利福尼亚州*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及薄膜技术领域,具体涉及一种高分子极化膜及电子器件。本发明的高分子极化膜内部晶相包括α相和β相,其中β相的含量为60~70%。该高分子极化膜具有较强的压电效应和较长的使用寿命。本发明还提供一种电子器件,其包括基底以及上述的高分子极化膜。 | ||
搜索关键词: | 高分子 极化 电子器件 | ||
【主权项】:
一种高分子极化膜,其特征在于:所述高分子极化膜内部晶相包括α相和β相,其中β相的含量为60~70%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于王开安,未经王开安许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710807826.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:由极低电阻材料形成的电气、机械、计算和/或其他设备
- 下一篇:磁器件