[发明专利]晶圆支撑装置在审
| 申请号: | 201710796170.9 | 申请日: | 2017-09-06 |
| 公开(公告)号: | CN109461691A | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
| 发明(设计)人: | 邱义君;黄俊凯;吕至诚;陈春忠;傅承祖;蔡升富 | 申请(专利权)人: | 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;京鼎精密科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 刘永辉;郑杏芳 |
| 地址: | 201600 上海市松江区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明涉及一种晶圆支撑装置,其包括:承载主体,所述承载主体包括有承载面,所述承载面开设有多个排气槽;所述排气槽将所述承载面分成多个承载区,每个承载区开设有容纳槽以及与每个所述容纳槽相连通的气流入口;多个非接触式吸盘,所述每个容纳槽设置有一个所述非接触式吸盘;中空圆柱筒,所述中空圆柱筒环绕所述承载主体设置;所述中空圆柱筒与所述承载主体形成环形的气流排出通道,所述气流排出通道的延伸方向与所述气流排气槽的延伸方向垂直且与所述排气槽的一端连通;以及多个吸附支撑件,所述吸附支撑件设置在所述承载面上,所述吸附支撑件的高度稍高于所述非接触式吸盘。 | ||
| 搜索关键词: | 承载主体 排气槽 非接触式吸盘 中空圆柱筒 承载面 容纳槽 支撑件 吸附 排出通道 支撑装置 承载区 方向垂直 气流入口 延伸 晶圆 种晶 连通 环绕 承载 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆支撑装置,其包括:承载主体,所述承载主体包括有承载面,所述承载面开设有多个排气槽;所述排气槽将所述承载面分成多个承载区,每个承载区开设有容纳槽以及与每个所述容纳槽相连通的气流入口;多个非接触式吸盘,所述非接触式吸盘设置在每个所述容纳槽中;中空圆柱筒,所述中空圆柱筒环绕所述承载主体设置;所述中空圆柱筒与所述承载主体之间设置有气流排出通道,所述气流排出通道的延伸方向与所述中空圆柱筒的轴向方向平行且与所述排气槽相连通;以及多个吸附支撑件,所述吸附支撑件设置在承载面上,所述吸附支撑件的高度稍高于所述非接触式吸盘;每个气流入口通入气流后能为所述非接触式吸盘提供正压以使所述非接触式吸盘吸附晶圆,所述非接触式吸盘排出的气流能通过所述排气槽流至所述气流排出通道排出;所述气流入口通入气流直至所述晶圆接触所述吸附支撑件时,所述气流入口停止通入气流,并将气流排出通道关闭;且切换成向所述吸附支撑件通以负压,以利用所述吸附支撑件吸附支撑所述晶圆,使所述晶圆背面皆受负压吸附并平贴附于所述吸附支撑件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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