[发明专利]高平坦化效率化学机械抛光垫和制备方法有效
| 申请号： | 201710795556.8 | 申请日： | 2017-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN107813219B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | J·G·韦斯;G·C·雅各布;B·库马;S·E·马斯特罗扬尼;徐文君;邱南荣;M·T·伊斯兰 | 申请（专利权）人： | 陶氏环球技术有限责任公司;罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/24 | 分类号： | B24B37/24 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈哲锋;胡嘉倩 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种用于抛光半导体衬底的含有抛光层的化学机械抛光垫，所述抛光层包含其包含固化剂和多异氰酸酯预聚物的反应混合物的聚氨酯反应产物，所述多异氰酸酯预聚物的未反应的异氰酸酯(NCO)浓度为8.3wt％到9.8wt％并且由聚丙二醇(PPG)和聚四亚甲基醚乙二醇(PTMEG)以及含有聚乙二醇或氧化乙烯重复单元的亲水性部分的多元醇掺合物、甲苯二异氰酸酯以及一种或多种异氰酸酯增量剂形成，其中所述聚氨酯反应产物呈现出比干燥聚氨酯反应产物的肖氏D硬度小10％到20％的湿肖氏D硬度。 | ||
| 搜索关键词： | 平坦 效率 化学 机械抛光 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于抛光选自磁性衬底、光学衬底和半导体衬底中的至少一种的衬底的化学机械(CMP)抛光垫，包含适宜于抛光所述衬底的抛光层，所述抛光层为包含固化剂和未反应的异氰酸酯(NCO)浓度为多异氰酸酯预聚物的8.3wt％到9.8wt％的所述多异氰酸酯预聚物的反应混合物的聚氨酯反应产物，所述多异氰酸酯预聚物由聚丙二醇(PPG)和聚四亚甲基醚乙二醇(PTMEG)以及含有聚乙二醇或氧化乙烯重复单元的亲水性部分的多元醇掺合物、甲苯二异氰酸酯以及一种或多种异氰酸酯增量剂形成，并且其中所述抛光垫中所述聚氨酯反应产物根据ASTM D2240‑15(2015)的肖氏D硬度为65到80并且呈现出比干燥聚氨酯反应产物的所述肖氏D硬度小10％到20％的湿肖氏D硬度。
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