[发明专利]一种带欠压保护的升压电容充电电路

摘要

一种带欠压保护的升压电容充电电路，属于电子电路技术领域。检测充电环路用于检测升压电容C_boot两端压差并给升压电容C_boot充电，免去了传统模式使用低压差线性稳压器LDO给升压电容充电需要设计环路补偿的问题，不需要外挂大电容，节省芯片成本和面积，也避免了长时间处于轻载模式后，要退出时升压电容C_boot上电压不够的问题；电流比较器用于实现欠压保护功能，相比传统使用低压差线性稳压器LDO给升压电容C_boot充电的方式，本发明的充电方式更简单，大大简化了电路的设计难度。

主权项

1.一种带欠压保护的升压电容充电电路，其特征在于，包括电流比较器和检测充电环路，所述检测充电环路包括运算放大器、功率二极管(D2)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第一NMOS管(MN1)、第一PMOS管(MP1)和第四PMOS管(MP4)，运算放大器的反相输入端连接第一基准电压(Vref)，其输出端连接第四PMOS管(MP4)的栅极，第四PMOS管(MP4)的源极接输入电压(Vin)；功率二极管(D2)的阳极连接第四PMOS管(MP4)的漏极，其阴极连接所述升压电容(C_boot)的上极板并通过第一电阻(R1)后连接第一PMOS管(MP1)的源极；第一PMOS管(MP1)的栅极连接所述升压电容(C_boot)的下极板，其漏极连接第三电阻(R3)的一端和第一NMOS管(MN1)的漏极；第二电阻(R2)的一端连接第三电阻(R3)的另一端、第一NMOS管(MN1)的源极和运算放大器的同相输入端，其另一端接地；所述电流比较器包括第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第一反相器(INV1)、第二反相器(INV2)、第四电阻(Rf)和第一电容(Cf)，第四电阻(Rf)的一端连接所述检测充电环路中第一NMOS管(MN1)的漏极，另一端连接第三NMOS管(MN3)的栅极并通过第一电容(Cf)后接地；第二PMOS管(MP2)的栅漏短接并连接第三PMOS管(MP3)的栅极和第二NMOS管(MN2)的漏极，其源极连接第三PMOS管(MP3)的源极；第二NMOS管(MN2)的栅极连接第二基准电压(Vref1)，其源极接地；第三NMOS管(MN3)的漏极连接第三PMOS管(MP3)的漏极并通过第一反相器(INV1)和第二反相器(INV2)的串联结构后连接所述检测充电环路中第一NMOS管(MN1)的栅极，其源极接地。