[发明专利]一种LED外延片的无损测试装置及测试方法在审
| 申请号： | 201710775732.1 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109444701A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 曹志芳;单立英;任忠祥;吴金凤;肖成峰 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/44 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨树云 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种LED外延片的无损测试装置及测试方法，包括电流源及连接电流源的N极测试针、P极测试针，N极测试针、P极测试针的针头均包有焊锡、铟粒混合的铟锡方块，铟锡方块的高度h的取值范围为a≤h≤b，a是指LED外延片中N型GaN层下表面及其下面所有层的厚度和，b是指LED外延片中N型GaN层上表面及其下面所有层的厚度和。铟锡方块与现有的铟粒相比，硬度大，不易变形，导电性好；避免了每次测试时都要用新铟粒造成的材料浪费，同时，避免铟粒粘附在LED外延片表层造成的污染等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 测试针 铟粒 铟锡 无损测试装置 电流源 测试 导电性 不易变形 上表面 下表面 焊锡 粘附 针头 污染 | ||
【主权项】：
1.一种LED外延片的无损测试装置，其特征在于，包括电流源及连接所述电流源的N极测试针、P极测试针，所述N极测试针、P极测试针的针头外包有焊锡、铟粒混合的铟锡方块，所述铟锡方块的高度h的取值范围为a≤h≤b，a是指LED外延片中N型GaN层下表面及其下面所有层的厚度和，b是指LED外延片中N型GaN层上表面及其下面所有层的厚度和。
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