[发明专利]一种LED外延片的无损测试装置及测试方法

权利要求书

1.一种LED外延片的无损测试装置，其特征在于，包括电流源及连接所述电流源的N极测试针、P极测试针，所述N极测试针、P极测试针的针头外包有焊锡、铟粒混合的铟锡方块，所述铟锡方块的高度h的取值范围为a≤h≤b，a是指LED外延片中N型GaN层下表面及其下面所有层的厚度和，b是指LED外延片中N型GaN层上表面及其下面所有层的厚度和。

2.根据权利要求1所述的一种LED外延片的无损测试装置，其特征在于，所述铟锡方块中焊锡、铟粒的质量比例为(4:3)-(3:1)。

3.根据权利要求1所述的一种LED外延片的无损测试装置，其特征在于，所述铟锡方块中焊锡、铟粒的质量比例为3:2。

4.根据权利要求1所述的一种LED外延片的无损测试装置，其特征在于，所述电流源为0-500mA直流电流源。

5.根据权利要求1所述的一种LED外延片的无损测试装置，其特征在于，所述N极测试针、P极测试针均为弯折形。

6.根据权利要求1所述的一种LED外延片的无损测试装置，其特征在于，所述铟锡方块为立方体。

7.根据权利要求1所述的一种LED外延片的无损测试装置，其特征在于，所述N极测试针、P极测试针通过以下方法制得，包括：

A、在186℃-200℃温度条件下，将焊锡、铟粒按照质量比例(4:3)-(3:1)进行加热熔合；

B、将熔合后的焊锡、铟粒置于模具容器中；模具容器的高度为h；

C、待熔合后的焊锡、铟粒降温至100℃-110℃时，将N极测试针或P极测试针的针头插入熔合后的焊锡、铟粒中；

D、待熔合后的焊锡、铟粒降温至22℃-38℃时，得到所述N极测试针、P极测试针。

8.权利要求1-7任一所述的LED外延片的无损测试装置的测试方法，其特征在于，包括步骤如下：

(1)将LED外延片吸附在基座上；

(2)将所述N极测试针的铟锡方块紧贴到LED外延片解理边的侧面，将所述P极测试针的铟锡方块接触LED外延片表面任意位置；

(3)设置好针压参数，针压是指N极测试针或P极测试针压到LED外延片表面的压力，针压参数的取值范围为2-3g，进行电性参数测试。