[发明专利]一种降低激光剥离能量阈值的复合转移衬底结构及制备工艺有效
申请号: | 201710775206.5 | 申请日: | 2017-08-31 |
公开(公告)号: | CN107623059B | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | 云峰;李虞锋;孙东旭 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/20 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 闵岳峰 |
地址: | 710049 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种降低激光剥离能量阈值的复合转移衬底结构及制备工艺,包括原始键合衬底、多层功能性键合层和三维空间阵列结构;三维空间阵列结构由多层的功能性键合层构成,位于原始键合衬底和被键合材料之间;三维空间阵列结构的特征尺寸在100um以下,三维空间阵列结构中的空隙中填充有软性导电导热材料;所述原始键合衬底表面有一金属镀层,三维空间阵列结构的多功能键合层制备在金属镀层之上,后与被键合材料键合;或者制备在被键合材料表面,后与原始键合衬底键合。本发明通过在被键合材料和键合衬底之间形成稳定的三维空间阵列结构,有效降低了激光剥离时的阈值能量,同时不影响剥离外延层的质量,可以进行完整的外延剥离。 | ||
搜索关键词: | 一种 降低 激光 剥离 能量 阈值 复合 转移 衬底 结构 制备 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种降低激光剥离能量阈值的复合转移衬底结构,其特征在于,包括原始键合衬底以及多层功能性键合层;其中,多层功能性键合层位于原始键合衬底和被键合材料之间;多层功能性键合层通过在三维空间阵列结构中的空隙中填充功能性材料构成,且三维空间阵列结构的特征尺寸在100um以下;所述多层功能性键合层通过以下方式获得,在所述原始键合衬底表面有一金属镀层,金属镀层经过图案化形成三维空间阵列结构,在三维空间阵列结构中的空隙中填充功能性材料后得到多层功能性键合层。
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