[发明专利]一种垂直结构半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201710773937.6 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107579139B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 云峰;郭茂峰 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 闵岳峰 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直结构半导体器件的制造方法，包括以下步骤：1)在蓝宝石衬底表面上生长外延层，并将外延层进行单元区域划分；2)在单元区域内填充导电绝缘材料；3)分别在外延层和转移衬底上制备第一层粘合层和第二层粘合层，并将其粘合在一起；4)按照逆时针或顺时针方向，利用单光束或双光束激光辐照方式，由外向内直线渐进式扫描方式进行逐点扫描，实现蓝宝石衬底和外延层剥离；5)利用芯片工艺暴露出N型材料表面，并于制备电极和钝化保护层，最终完成器件制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直结构半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在蓝宝石衬底(100)表面上生长外延层(101)，并于外延层(101)上制备第一层粘合层(102)，同时在转移衬底(200)表面上制备第二层粘合层(202)；2)利用晶圆粘合方法将第一层粘合层(102)和第二层粘合层(202)连接在一起，实现蓝宝石衬底(100)上的外延层(101)和转移衬底(200)贴合；3)利用激光加工方法，将激光光斑从蓝宝石衬底(100)一侧辐照被加工外延层(101)，具体激光剥离方式为按照由外向内直线型渐进方式，并以微米级移动逐点扫描，外延层(101)的最底层吸收激光能量发生分解，从而使蓝宝石衬底(100)和外延层(101)分离开来，最终实现外延层(101)完整的转移到转移衬底(200)之上；4)利用干法刻蚀工艺将分离后的转移衬底(200)表面上外延层刻蚀至N型重掺杂层，利用光刻、电子束蒸发、溅射工艺在N型重掺杂层上制备电极，利用CVD化学气相沉积技术在器件表面制备钝化保护层，完成垂直结构半导体器件的制备。
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