[发明专利]一种高导电石墨烯薄膜阵列的激光雕刻制备方法有效
| 申请号： | 201710758366.9 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109421402B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 胡成国;张祝潺 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | B41M5/26 | 分类号： | B41M5/26;B41M1/30 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 薛玲 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高导电石墨烯薄膜阵列的激光雕刻制备方法，以酚醛树脂、聚偏氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或多糖为基底，在基底上进行激光雕刻，形成导电石墨烯图案。与以前的技术相比，本发明从原理上突破了国际上只有GO和PI及其类似结构高分子材料才能用于制备LIG的认识局限，将其LIG材质从GO和PI拓展到了酚醛树脂、多糖、聚甲基丙烯酸甲酯和聚偏氟乙烯等低成本、易加工、结构性能多样的其它高分子材料领域，同时将可用激光光源的波长拓展到了可见光区。这些突破将极大丰富LIG的批量制备方案和应用领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 石墨 薄膜 阵列 激光雕刻 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高导电石墨烯薄膜阵列的激光雕刻制备方法，其特征在于，以酚醛树脂、聚偏氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或多糖为基底，在基底上进行激光雕刻，形成导电石墨烯图案。
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