[发明专利]一种绝缘栅双极性晶体管结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201710757701.3 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN107634094B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 单建安;冯浩;伍震威 | 申请（专利权）人： | 中山汉臣电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 44218 深圳市千纳专利代理有限公司 | 代理人： | 袁燕清 |
| 地址： | 528437 广东省中山市火*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种绝缘栅双极性晶体管结构及其制造方法，本发明涉及于功率半导体器件，针对现有技术IGBT器件中存在的问题，需要提供一种在不增加器件制造难度及成本的基础上降低其导通压降Von的器件结构设计方案。一种绝缘栅双极性晶体管结构，所述的晶体管结构包括有发射极电极、集电极和栅电极，所述的栅电极设于栅槽内，所述的栅槽延伸进入第三半导体漂移区内，所述的第三半导体漂移区内设有一个以上的伪槽，所述的伪槽外毗连设有第七半导体区，所述的第七半导体区的掺杂浓度高于所述的第三半导体漂移区的平均掺杂浓度。本发明的IGBT器件可以通过更低的制造难度及成本实现更低的导通能量损耗，提升器件产品在性能与成本两方面的双重竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 极性 晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极性晶体管结构，所述的晶体管结构包括有发射极电极（121）、集电极（122）和栅电极（123），所述的栅电极（123）设于栅槽（110）内，所述的栅槽（110）延伸进入n
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